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英特尔抢先量产1.8nm芯片力压台积电？中国GAA技术已破关键瓶颈

亚利桑那州Fab 52工厂的光刻机彻夜运转，一片片搭载18A制程的晶圆正在下线——英特尔正式宣布启动全球首个1.8nm级制程的高产量生产（HVM），比台积电N2节点量产时间提前数周。这款将用于Panther Lake处理器的新工艺，凭借RibbonFET全环绕

FET（Fin Field-Effect Transistor），是一种先进的晶体管结构，用于半导体器件，特别是集成电路（IC），如微处理器、图形处理单元（GPU）和片上系统（SOC）。与平面场效应晶体管（FET）设计相比，FinFET结构具有许多优点。

Intel 展示了栅长为 6nm 的全环绕栅（Gate-All-Around, GAA）硅 RibbonFET CMOS 晶体管，并对其进行了全面表征。为了准确评估在极短栅长下的“真实”短沟道效应及其性能，开发了一种单纳米带（lNR）结构，使其源/漏区与衬底鳍

ITRS（InternatIonal Technology Roadmap for Semiconductors）由全球主要半导体厂商、研究机构和学术界共同制定，最早起源于 1990 年代。目标是为半导体行业提供技术发展路线指引，预测未来 10~15 年内的关

哎呀，三星在半导体领域又放大招了！最近有报道称，三星电子正计划引进更多ASML的高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻机，这些设备单价高达4亿美元以上，简直是“烧钱神器”。这波操作直指三星的2nm GAA（全环绕栅极）工艺，目的是加速Exynos 2

Exynos 2500 配有三星 Xclipse 950 图形处理器，依托 AMD RDNA 3 架构；通过采用双着色器引擎结构，Exynos 2500 嵌入式 Xclipse 950 GPU 已从 6WGP / 4RB 升级到 8WGP / 8RB。