三星电子近日通过第三季度财报首次公开其2nm Gate-All-Around（GAA）工艺的具体性能与效率数据，这一节点较前代3nm GAA提升5%性能、8%功耗效率，并缩小5%芯片面积。该工艺已进入晶圆量产阶段，良率从早期30%逐步攀升至50%-60%，标志

三星 2nm gaa 三星2nm gaa性能 2025-11-18 08:00  3

亚利桑那州Fab 52工厂的光刻机彻夜运转，一片片搭载18A制程的晶圆正在下线——英特尔正式宣布启动全球首个1.8nm级制程的高产量生产（HVM），比台积电N2节点量产时间提前数周。这款将用于Panther Lake处理器的新工艺，凭借RibbonFET全环绕

芯片 英特尔 台积电 gaa 中国gaa 2025-10-13 07:10  5

FET（Fin Field-Effect Transistor），是一种先进的晶体管结构，用于半导体器件，特别是集成电路（IC），如微处理器、图形处理单元（GPU）和片上系统（SOC）。与平面场效应晶体管（FET）设计相比，FinFET结构具有许多优点。

finfet gaa backsidepower backs 2025-10-03 17:26  5

Intel 展示了栅长为 6nm 的全环绕栅（Gate-All-Around, GAA）硅 RibbonFET CMOS 晶体管，并对其进行了全面表征。为了准确评估在极短栅长下的“真实”短沟道效应及其性能，开发了一种单纳米带（lNR）结构，使其源/漏区与衬底鳍

intel cmos gaa ribbonfet gaacm 2025-10-02 00:45  6

ITRS（InternatIonal Technology Roadmap for Semiconductors）由全球主要半导体厂商、研究机构和学术界共同制定，最早起源于 1990 年代。目标是为半导体行业提供技术发展路线指引，预测未来 10~15 年内的关

intel 晶体管 摩尔定律 gaa gaa2d 2025-09-09 21:36  8